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SCT3017ALGC11

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W; TO247


メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
SCT3017ALGC11
TMEシンボル:
SCT3017ALGC11

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
118A
パルスドレイン電流
295A
電力損失
428W
ケース
TO247
ゲートーソース電圧
-4...22V
ON抵抗値
22.1mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
172nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量3 g
証明書
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SCT3017ALGC11
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