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SCT3060ALGC11

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 39A; 165W; TO247


メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
SCT3060ALGC11
TMEシンボル:
SCT3060ALGC11

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
39A
電力損失
165W
ケース
TO247
ON抵抗値
60mΩ
マウント
THT
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量5 g
証明書
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SCT3060ALGC11
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