SCT30N120
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W; HIP247™
メーカー: STMicroelectronics
メーカー品番:
SCT30N120
TMEシンボル:
SCT30N120
仕様
メーカー | STMicroelectronics | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC, SiCFET | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | |
ドレイン電流 | 34A | |
パルスドレイン電流 | 90A | |
電力損失 | 270W | |
ケース | HIP247™ | |
ゲートーソース電圧 | -10...25V | |
ON抵抗値 | 0.1Ω | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 105nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された |
総重量4.437 g
証明書
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個