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SCT30N120H

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2


メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
SCT30N120H
TMEシンボル:
SCT30N120H

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
42A
パルスドレイン電流
90A
電力損失
230W
ケース
H2PAK-2
ゲートーソース電圧
-10...25V
ON抵抗値
0.1Ω
マウント
SMD
ゲート電荷
105nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書
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SCT30N120H
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