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メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR
メーカー | ROHM SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 650V | |
ドレイン電流 | 21A | |
パルスドレイン電流 | 52A | |
電力損失 | 103W | |
ケース | TO247 | |
ゲートーソース電圧 | -4...22V | |
ON抵抗値 | 156mΩ | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 38nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された |