SCTW100N65G2AG
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
メーカー: STMicroelectronics
メーカー品番:
SCTW100N65G2AG
TMEシンボル:
SCTW100N65G2AG
仕様
メーカー | STMicroelectronics | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 650V | |
ドレイン電流 | 100A | |
パルスドレイン電流 | 280A | |
電力損失 | 420W | |
ケース | HIP247™ | |
ゲートーソース電圧 | -10...22V | |
ON抵抗値 | 26mΩ | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 162nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
アプリケーション 用途 | 自動車産業 |
総重量5 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: THT Nチャネルトランジスタ STMicroelectronics,
* SCTW100N65G2AG個数 (倍数: 1)
0 TMEに在庫あり
からの数量に対する正味価格 1 個 - 39.80 USDから数量のグロス価格 1 個 - 39.80 USD