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SCTW35N65G2V

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W; HIP247™


メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
SCTW35N65G2V
TMEシンボル:
SCTW35N65G2V

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
45A
パルスドレイン電流
90A
電力損失
240W
ケース
HIP247™
ゲートーソース電圧
-10...22V
ON抵抗値
68mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
73nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量5.38 g
証明書
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SCTW35N65G2V
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個