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SCTW90N65G2V

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W; HIP247™


メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
SCTW90N65G2V
TMEシンボル:
SCTW90N65G2V

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
90A
パルスドレイン電流
220A
電力損失
565W
ケース
HIP247™
ゲートーソース電圧
-10...22V
ON抵抗値
30mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
157nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量5.4 g
証明書
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SCTW90N65G2V
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