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SI3473CDV-T1-GE3

トランジスター: P-MOSFET; TrenchFET®; ユニポーラ; -12V; -8A; Idm: -20A; 4.2W


メーカー: VISHAY

メーカー品番:
SI3473CDV-T1-GE3
TMEシンボル:
SI3473CDV-T1-GE3

仕様

メーカー
VISHAY
トランジスタータイプ
P-MOSFET
技術
TrenchFET®
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
-12V
ドレイン電流
-8A
パルスドレイン電流
-20A
電力損失
4.2W
ケース
SC74, TSOP6
ゲートーソース電圧
±8V
ON抵抗値
36mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
65nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量0.032 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: SMD Pチャネルトランジスタ VISHAY,
*
SI3473CDV-T1-GE3
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メーカーによる梱包方法リール = 3 000 個