SI8497DB-T2-E1
トランジスター: P-MOSFET; TrenchFET®; ユニポーラ; -30V; -13A; Idm: -20A; 13W
メーカー: VISHAY
メーカー品番:
SI8497DB-T2-E1
TMEシンボル:
SI8497DB-T2-E1
仕様
メーカー | VISHAY | |
トランジスタータイプ | P-MOSFET | |
技術 | TrenchFET® | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | -30V | |
ドレイン電流 | -13A | |
パルスドレイン電流 | -20A | |
電力損失 | 13W | |
ケース | MICROFOOT® | |
ゲートーソース電圧 | ±12V | |
ON抵抗値 | 0.12Ω | |
マウント | SMD | |
ゲート電荷 | 49nC | |
梱包種類 | テーピング, リール | |
チャンネル種別 | 強化された |
総重量0.001 g
証明書
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