SI8802DB-T2-E1
トランジスター: N-MOSFET; TrenchFET®; ユニポーラ; 8V; 3.5A; Idm: 15A; 0.9W
メーカー: VISHAY
メーカー品番:
SI8802DB-T2-E1
TMEシンボル:
SI8802DB-T2-E1
仕様
メーカー | VISHAY | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | TrenchFET® | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 8V | |
ドレイン電流 | 3.5A | |
パルスドレイン電流 | 15A | |
電力損失 | 0.9W | |
ケース | MICROFOOT® | |
ゲートーソース電圧 | ±5V | |
ON抵抗値 | 135mΩ | |
マウント | SMD | |
ゲート電荷 | 6.5nC | |
梱包種類 | テーピング, リール | |
チャンネル種別 | 強化された |
総重量0.001 g
証明書
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* SI8802DB-T2-E1個数 (倍数: 3 000)
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