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ST8L65N050DM9

トランジスター: N-MOSFET; MDmesh™ DM9; ユニポーラ; 650V; 35A; Idm: 225A; 167W

新製品

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
ST8L65N050DM9
TMEシンボル:
ST8L65N050DM9

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™ DM9
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
35A
パルスドレイン電流
225A
電力損失
167W
ケース
PowerFLAT 8x8
ゲートーソース電圧
±30V
ON抵抗値
50mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
107nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書
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ST8L65N050DM9
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