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STB120N4F6

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STB120N4F6
TMEシンボル:
STB120N4F6

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SuperMesh™
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
40V
ドレイン電流
80A
パルスドレイン電流
320A
電力損失
110W
ケース
D2PAK
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
4mΩ
マウント
SMD
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量0.025 g
証明書

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