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STB13N60M2

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STB13N60M2
TMEシンボル:
STB13N60M2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SuperMesh™
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
7A
電力損失
110W
ケース
D2PAK
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.38Ω
マウント
SMD
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
バージョン
ESD
総重量1.561 g
証明書
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STB13N60M2
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