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STB18N60DM2

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STB18N60DM2
TMEシンボル:
STB18N60DM2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SuperMesh™
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
7.6A
電力損失
90W
ケース
D2PAK
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.295Ω
マウント
SMD
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
バージョン
ESD
総重量0.025 g
証明書

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