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STB18NM80

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 800V; 17A; 190W; D2PAK,TO263

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STB18NM80
TMEシンボル:
STB18NM80

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
800V
ドレイン電流
17A
電力損失
190W
ケース
D2PAK, TO263
ON抵抗値
0.295Ω
マウント
SMD
ゲート電荷
70nC
チャンネル種別
強化された
総重量1.8 g
証明書
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