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STD10N60M2

トランジスター: N-MOSFET; ユニポーラ; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STD10N60M2
TMEシンボル:
STD10N60M2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SuperMesh™
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
4.9A
電力損失
85W
ケース
DPAK
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.6Ω
マウント
SMD
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
バージョン
ESD
総重量0.383 g
証明書

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STD10N60M2
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