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STGB30M65DF2

トランジスター: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STGB30M65DF2
TMEシンボル:
STGB30M65DF2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
IGBT
コレクターエミッター電圧
650V
コレクター電流
30A
電力損失
258W
ケース
D2PAK
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
120A
マウント
SMD
ゲート電荷
80nC
梱包種類
テーピング, リール
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
総重量1.619 g
証明書
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STGB30M65DF2
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