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STP10N60M2

トランジスター: N-MOSFET; MDmesh™ M2; ユニポーラ; 600V; 4.9A; Idm: 30A; 85W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP10N60M2
TMEシンボル:
STP10N60M2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™ M2
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
4.9A
パルスドレイン電流
30A
電力損失
85W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.6Ω
マウント
THT
ゲート電荷
13.5nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1.97 g
証明書
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*
STP10N60M2
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メーカーによる梱包方法チューブ = 50 個