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STP110N10F7

トランジスター: N-MOSFET; STripFET™ F7; ユニポーラ; 100V; 76A; Idm: 415A; 150W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP110N10F7
TMEシンボル:
STP110N10F7

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
STripFET™ F7
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
100V
ドレイン電流
76A
パルスドレイン電流
415A
電力損失
150W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
7mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
72nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1.983 g
証明書
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STP110N10F7
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個数 (倍数: 1)
メーカーによる梱包方法チューブ = 50 個