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STP120N4F6

トランジスター: N-MOSFET; STripFET™ H6; ユニポーラ; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP120N4F6
TMEシンボル:
STP120N4F6

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
STripFET™ H6
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
40V
ドレイン電流
80A
パルスドレイン電流
320A
電力損失
110W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
4.3mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
65nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1.97 g
証明書
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STP120N4F6
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個数 (倍数: 1)
メーカーによる梱包方法チューブ = 50 個