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STP18N60M2

トランジスター: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; ユニポーラ; 650V; 8A; Idm: 52A; 110W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP18N60M2
TMEシンボル:
STP18N60M2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™ || Plus
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
8A
パルスドレイン電流
52A
電力損失
110W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.28Ω
マウント
THT
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
バージョン
ESD
総重量1.95 g
証明書
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STP18N60M2
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個数 (倍数: 1)
メーカーによる梱包方法チューブ = 50 個