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STP18N60M6

トランジスター: N-MOSFET; MDmesh™ M6; ユニポーラ; 600V; 8.2A; Idm: 38A; 110W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP18N60M6
TMEシンボル:
STP18N60M6

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™ M6
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
8.2A
パルスドレイン電流
38A
電力損失
110W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.28Ω
マウント
THT
ゲート電荷
16.8nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量2 g
証明書
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