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STP33N60M2

トランジスター: N-MOSFET; MDmesh™ M2; ユニポーラ; 600V; 16A; Idm: 104A; 190W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP33N60M2
TMEシンボル:
STP33N60M2

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™ M2
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
16A
パルスドレイン電流
104A
電力損失
190W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.125Ω
マウント
THT
ゲート電荷
45.5nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1.98 g
証明書
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STP33N60M2
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メーカーによる梱包方法チューブ = 50 個