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STP35N60M2-EP

トランジスター: N-MOSFET; MDmesh™ M2; ユニポーラ; 600V; 16A; Idm: 70A; 190W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STP35N60M2-EP
TMEシンボル:
STP35N60M2-EP

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
MDmesh™ M2
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
16A
パルスドレイン電流
70A
電力損失
190W
ケース
TO220-3
ゲートーソース電圧
±25V
ON抵抗値
0.13Ω
マウント
THT
ゲート電荷
41nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量2 g
証明書
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