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TP2502N8-G

トランジスター: P-MOSFET; ユニポーラ; -20V; -630mA; Idm: -3.3A; 1.6W; SOT89-3


メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
TP2502N8-G
TMEシンボル:
TP2502N8-G

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
P-MOSFET
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
-20V
ドレイン電流
-0.63A
パルスドレイン電流
-3.3A
電力損失
1.6W
ケース
SOT89-3
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
マウント
SMD
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
メーカー標準梱包
2000個
総重量0.0518 g
証明書

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