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UCC27211DR

IC: driver; H-ブリッジ,MOSFET ハーフブリッジ; SO8; 4A; 50÷290mV; Ch: 2; 8÷17VDC


メーカー: TEXAS INSTRUMENTS

メーカー品番:
UCC27211DR
TMEシンボル:
UCC27211DR

仕様

メーカー
TEXAS INSTRUMENTS
集積回路タイプ
driver
トポロジー
H-ブリッジ, MOSFET ハーフブリッジ
集積回路種類
high-/low-side, MOSFET ゲートドライバー
ケース
SO8
出力電流
4A
出力電圧
50...290mV
チャンネル数
2
マウント
SMD
動作温度範囲
-40...140°C
インパルス立ち上がり時間
600ns
パルス立ち下がり時間
400ns
梱包種類
テーピング, リール
供給電圧
  • 8...17V DC
IC機能
  • active Miller clamp
  • integrated bootstrap functionality
  • UVLO (UnderVoltage LockOut)
総重量1 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: MOSFET/IGBTドライバ TEXAS INSTRUMENTS,
*
UCC27211DR
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