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US6J11TR

トランジスター: P-MOSFET x2; ユニポーラ; -12V; -1.3A; Idm: -5.2A; 1W; TUMT6; ESD


メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
US6J11TR
TMEシンボル:
US6J11TR

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
P-MOSFET x2
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
-12V
ドレイン電流
-1.3A
パルスドレイン電流
-5.2A
電力損失
1W
ケース
TUMT6
ゲートーソース電圧
±10V
ON抵抗値
1.06Ω
マウント
SMD
ゲート電荷
2.4nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
バージョン
ESD
総重量0.1 g
証明書

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