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US6M11TR

トランジスター: N/P-MOSFET; ユニポーラ; 20/-12V; 1.5/-1.3A; Idm: 5.2÷6A; 1W

製品ファミリー

メーカー: ROHM SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
US6M11TR
TMEシンボル:
US6M11TR

仕様

メーカー
ROHM SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N/P-MOSFET
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
20/-12V
ドレイン電流
1.5/-1.3A
パルスドレイン電流
5.2...6A
電力損失
1W
ケース
TUMT6
ゲートーソース電圧
±10V
ON抵抗値
600mΩ/1.06Ω
マウント
SMD
ゲート電荷
1.8/2.4nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量0.1 g
証明書

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