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メーカー | IXYS | ||
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | ||
半導体構造 | シングル トランジスター | ||
ドレインーソース電圧 | 100V | ||
ドレイン電流 | 590A | ||
ケース | Y3-DCB | ||
電気的実装 | スクリュー, ファストン端子 | ||
極性 | ユニポーラ | ||
ON抵抗値 | 2.1mΩ | ||
パルスドレイン電流 | 2.36kA | ||
電力損失 | 2.2kW | ||
技術 | HiPerFET™ | ||
チャンネル種別 | 強化された | ||
ゲート電荷 | 2µC | ||
逆回復時間 | 300ns | ||
ゲートーソース電圧 | ±20V | ||
半導体部品の機能 | ケルビン端子 | ||
構造的搭載 | ネジ |