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WMSC008H12B1P6T

モジュール; トランジスター/トランジスター; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; Idm: 300A; 244W


メーカー: WeEn Semiconductors

メーカー品番:
WMSC008H12B1P6T
TMEシンボル:
WMSC008H12B1P6T

仕様

メーカー
WeEn Semiconductors
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
トランジスター/トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
153A
トポロジー
MOSFET ハーフブリッジ, NTCサーミスター
電気的実装
Press-in PCB
ON抵抗値
8mΩ
パルスドレイン電流
300A
電力損失
244W
技術
SiC
ゲートーソース電圧
-4...18V
構造的搭載
ネジ
総重量20 g
証明書
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WMSC008H12B1P6T
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