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WMSC010H12B1P6T

モジュール; トランジスター/トランジスター; 1.2kV; 107A; Press-in PCB; Idm: 210A; 152W

メーカー: WeEn Semiconductors

メーカー品番:
WMSC010H12B1P6T
TMEシンボル:
WMSC010H12B1P6T

仕様

メーカー
WeEn Semiconductors
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
トランジスター/トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
107A
トポロジー
MOSFET ハーフブリッジ, NTCサーミスター
電気的実装
Press-in PCB
ON抵抗値
10mΩ
パルスドレイン電流
210A
電力損失
152W
技術
SiC
ゲートーソース電圧
-4...18V
構造的搭載
ネジ
総重量20 g
証明書
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WMSC010H12B1P6T
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