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発行日: 21-01-2020 🕒 2 分钟阅读
TMEでは台湾のDACO Semiconductor社が炭化ケイ素(SiC)技術によって製造するトランジスタモジュールMOSFETを扱っています。絶縁ベース付きの人気のある便利なSOT227パッケージで利用できます。
炭化ケイ素技術によってモジュールはより高いジャンクション温度で動作可能です。熱放散が困難な用途に最適であり、熱条件が厳しい場所や電力損失を最低限に抑える必要がある場合に効果的です。太陽光発電パネルと連携するインバーター、電力コンバーター、モーターコントローラー、バッテリー充電器、スイッチング電源を使用できます。
| 特性: | |
| DS間電圧: | 最大1200V |
| 順方向電流: | 最大125A |
| 最大ジャンクション温度: | 150⁰C |
| 製法: | SiC |
| 組み付け: | ネジ |
| パッケージ: | SOT227 |
| 記号: | 説明: | |
| DACMI40N1200-DCO | モジュール; シングルトランジスタ; 1,2kV; 25A; SOT227B; ネジ | |
| DACMI80N1200-DCO | モジュール; シングルトランジスタ; 1,2kV; 50A; SOT227B; ネジ | |
| DACMI120N1200-DCO | モジュール; シングルトランジスタ; 1,2kV; 76A; SOT227B; ネジ | |
| DACMI160N1200-DCO | モジュール; シングルトランジスタ; 1,2kV; 110A; SOT227B; ネジ | |
| DACMI200N1200-DCO | モジュール; シングルトランジスタ; 1,2kV; 125A; SOT227B; ネジ |