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B3M040065Z

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B3M040065Z
Símbolo TME:
B3M040065Z

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
47A
Corrente de dreno em impulso
108A
Potência dissipada
250W
Caixa
TO247-4
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
40mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
60nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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B3M040065Z
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 2.10 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 2.10 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 1.85 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 1.85 USD
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 1.68 USDPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 1.68 USD
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 1.55 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 1.55 USD
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