B3M040120ZN
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B3M040120ZN
Símbolo TME:
B3M040120ZN
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 45A | |
Corrente de dreno em impulso | 124A | |
Potência dissipada | 312W | |
Caixa | TO247-4 | |
Tensão descarga-fonte | -5...18V | |
Resistência no estado de condução | 40mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 88nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3M040120ZNQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 2.88 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 2.88 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 2.59 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 2.59 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 2.29 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 2.29 USD
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 2.06 USDPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 2.06 USD
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 1.92 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 1.92 USD