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Fabricante	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão dreno-fonte	1,7kV
Corrente de dreno	70A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Polarização	unipolar
Resistência no estado de condução	20mΩ
Corrente de dreno em impulso	300A
Potência dissipada	523W
Tecnologia	G3R™, SiC
Espécie de canal	enriquecido
Tensão descarga-fonte	-5...15V
Montagem mecânica	roscado

G3R20MT17N

Módulo; transístor individual; 1,7kV; 70A; SOT227B; roscado; 523W

Especificação