GD10MPS12E
Díodo: retificador Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV; 18A
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
GD10MPS12E
Símbolo TME:
GD10MPS12E
Especificação
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de díodo | retificador Schottky | |
Caixa | TO252-2 | |
Tecnologia | SiC | |
Montagem | SMD | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente de condução | 18A | |
Estrutura do semicondutor | díodo individual | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | MPS | |
Tensão de condução máxima | 1,9V | |
Corrente de condução máx | 33A | |
Corrente no impulso max. | 64A | |
Espécie de embalagem | fita, rolo |
Peso bruto0.3 g
Certificados
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* GD10MPS12EQuantidade de unidades (Multiplicidade: 2 500)
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