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GD2X100MPS06N

Módulo: do díodo; dupla independente; 650V; If: 108Ax2; SOT227B


Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD2X100MPS06N
Símbolo TME:
GD2X100MPS06N

Especificação

Fabricante
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
do díodo
Estrutura do semicondutor
dupla independente
Tensão máxima inversa
650V
Corrente de condução
108A x2
Caixa
SOT227B
Tensão de condução máxima
1,8V
Corrente no impulso max.
0,44kA
Montagem elétrica
roscado
Corrente de condução máx
231A
Montagem mecânica
roscado
Propriedades de dispositivos semicondutores
MPS
Espécie de embalagem
tubo
Tecnologia
SiC
Tempo de prontidão
10ns
Peso bruto35.52 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos de diodos GeneSiC SEMICONDUCTOR,
*
GD2X100MPS06N
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