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GD2X30MPS12N

Módulo: do díodo; dupla independente; 1,2kV; If: 30Ax2; SOT227B

Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD2X30MPS12N
Símbolo TME:
GD2X30MPS12N

Especificação

Fabricante
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
do díodo
Estrutura do semicondutor
dupla independente
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente de condução
30A x2
Caixa
SOT227B
Tensão de condução máxima
1,5V
Corrente no impulso max.
0,24kA
Montagem elétrica
roscado
Corrente de condução máx
60A
Montagem mecânica
roscado
Propriedades de dispositivos semicondutores
MPS
Espécie de embalagem
tubo
Tecnologia
SiC
Tempo de prontidão
10ns
Peso bruto28 g
Certificados
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GD2X30MPS12N
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