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IXBK75N170

トランジスター: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; TO264; 機能: 高電圧


メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXBK75N170
TMEシンボル:
IXBK75N170

仕様

メーカー
IXYS
トランジスタータイプ
IGBT
技術
BiMOSFET™
コレクターエミッター電圧
1.7kV
コレクター電流
75A
電力損失
1.04kW
ケース
TO264
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
580A
マウント
THT
ゲート電荷
0.35µC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
277ns
ターンオフ時間
840ns
半導体部品の機能
高電圧
総重量9.83 g
証明書
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*
IXBK75N170
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メーカーによる梱包方法チューブ = 25 個