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IXD2012NTR

IC: driver; H-ブリッジ; ハーフブリッジ; SOIC8; 2.3A; Ch: 2; MOSFET; I出力 max: 2.3A

新製品

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXD2012NTR
TMEシンボル:
IXD2012NTR

仕様

メーカー
IXYS
集積回路タイプ
driver
トポロジー
H-ブリッジ
集積回路種類
ハーフブリッジ
ケース
SOIC8
出力電流
2.3A
チャンネル数
2
IC機能
MOSFET
マウント
SMD
動作温度範囲
-40...125°C
インパルス立ち上がり時間
30ns
パルス立ち下がり時間
20ns
最大出力電流
2.3A
電力損失
0.625W
供給電圧
  • 10...20V
総重量1 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: MOSFET/IGBTドライバ IXYS,
*
IXD2012NTR
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