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メーカー | IXYS | ||
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | ||
半導体構造 | シングル トランジスター | ||
ドレインーソース電圧 | 300V | ||
ドレイン電流 | 192A | ||
ケース | SOT227B | ||
電気的実装 | スクリュー | ||
極性 | ユニポーラ | ||
ON抵抗値 | 14.5mΩ | ||
パルスドレイン電流 | 550A | ||
電力損失 | 1.5kW | ||
技術 | HiPerFET™, Polar3™ | ||
チャンネル種別 | 強化された | ||
ゲート電荷 | 268nC | ||
逆回復時間 | 250ns | ||
ゲートーソース電圧 | ±30V | ||
構造的搭載 | ネジ |