IXFN26N100P
モジュール; シングル トランジスター; 1kV; 23A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 65A
メーカー: IXYS
メーカー品番:
IXFN26N100P
TMEシンボル:
IXFN26N100P
仕様
メーカー | IXYS | |
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | |
半導体構造 | シングル トランジスター | |
ドレインーソース電圧 | 1kV | |
ドレイン電流 | 23A | |
ケース | SOT227B | |
電気的実装 | スクリュー | |
極性 | ユニポーラ | |
ON抵抗値 | 390mΩ | |
パルスドレイン電流 | 65A | |
電力損失 | 595W | |
技術 | HiPerFET™, Polar™ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
ゲート電荷 | 197nC | |
逆回復時間 | 300ns | |
ゲートーソース電圧 | ±40V | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量37.04 g
証明書
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