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IXFN32N80P

モジュール; シングル トランジスター; 800V; 29A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 250A


メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN32N80P
TMEシンボル:
IXFN32N80P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
800V
ドレイン電流
29A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.27Ω
パルスドレイン電流
250A
電力損失
625W
技術
HiPerFET™, PolarHV™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
150nC
逆回復時間
250ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量36.98 g
証明書
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IXFN32N80P
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