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IXFN360N10T

モジュール; シングル トランジスター; 100V; 360A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 900A


メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN360N10T
TMEシンボル:
IXFN360N10T

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
100V
ドレイン電流
360A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
2.6mΩ
パルスドレイン電流
900A
電力損失
830W
技術
GigaMOS™, HiPerFET™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
525nC
逆回復時間
130ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量36.9 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: Transistor modules IXYS,
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IXFN360N10T
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メーカーによる梱包方法:チューブ = 10 個段ボール = 60 個