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IXFN360N15T2

モジュール; シングル トランジスター; 150V; 310A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 900A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN360N15T2
TMEシンボル:
IXFN360N15T2

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
150V
ドレイン電流
310A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
4mΩ
パルスドレイン電流
900A
電力損失
1.07kW
技術
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
715nC
逆回復時間
150ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量37.17 g
証明書
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IXFN360N15T2
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特注品
メーカーによる梱包方法チューブ = 10 個