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メーカー | IXYS | |
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | |
半導体構造 | シングル トランジスター | |
ドレインーソース電圧 | 100V | |
ドレイン電流 | 420A | |
ケース | SOT227B | |
電気的実装 | スクリュー | |
極性 | ユニポーラ | |
ON抵抗値 | 2.3mΩ | |
パルスドレイン電流 | 1kA | |
電力損失 | 1.07kW | |
技術 | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
ゲート電荷 | 670nC | |
逆回復時間 | 140ns | |
ゲートーソース電圧 | ±30V | |
構造的搭載 | ネジ |