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IXFN420N10T

モジュール; シングル トランジスター; 100V; 420A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 1kA


メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN420N10T
TMEシンボル:
IXFN420N10T

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
100V
ドレイン電流
420A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
2.3mΩ
パルスドレイン電流
1kA
電力損失
1.07kW
技術
GigaMOS™, HiPerFET™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
670nC
逆回復時間
140ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量37.1 g
証明書
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IXFN420N10T
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