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IXFN62N80Q3

モジュール; シングル トランジスター; 800V; 49A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 180A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN62N80Q3
TMEシンボル:
IXFN62N80Q3

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
800V
ドレイン電流
49A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
0.14Ω
パルスドレイン電流
180A
電力損失
960W
技術
HiPerFET™, Q3-Class
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
0.27µC
逆回復時間
300ns
ゲートーソース電圧
±40V
構造的搭載
ネジ
総重量37.08 g
証明書
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IXFN62N80Q3
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