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IXFN80N50P

モジュール; シングル トランジスター; 500V; 66A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 200A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXFN80N50P
TMEシンボル:
IXFN80N50P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
500V
ドレイン電流
66A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
65mΩ
パルスドレイン電流
200A
電力損失
700W
技術
HiPerFET™, PolarHV™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
195nC
逆回復時間
200ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量30 g
証明書
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IXFN80N50P
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個数 (倍数: 300)
特注品
メーカーによる梱包方法チューブ = 10 個