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IXGN200N170

モジュール: IGBT; シングル トランジスター; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B; スクリュー

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXGN200N170
TMEシンボル:
IXGN200N170

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
シングル トランジスター
最大開路電圧
1.7kV
コレクター電流
160A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
1.05kA
電力損失
1.25kW
技術
NPT
構造的搭載
ネジ
総重量30 g
証明書
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